Učebnice polovodičové paměti Obsahuje:
Typy pamětí &Technologie Specifikace pamětí &Parametry
Typy pamětí: DRAM EEPROM Flash FRAM MRAM Paměť se změnou fáze SDRAM SRAM
SRAM neboli statická paměť s náhodným přístupem je forma polovodičové paměti široce používaná v elektronice, mikroprocesorech a obecných výpočetních aplikacích. Tato forma polovodičové paměti získala svůj název podle toho, že data jsou v ní uchovávána staticky a není třeba je dynamicky aktualizovat jako v případě paměti DRAM. Přestože data v paměti SRAM není třeba dynamicky obnovovat, jsou stále volatilní, což znamená, že po odpojení napájení z paměťového zařízení se data neudrží a zmizí.
Základy paměti SRAM
Paměť SRAM – statická paměť s náhodným přístupem – má dvě klíčové vlastnosti, které ji odlišují od ostatních dostupných typů pamětí:
- Data jsou držena staticky: To znamená, že data jsou v polovodičové paměti uchovávána bez nutnosti obnovování, dokud je paměť napájena.
- Paměť SRAM je formou paměti s náhodným přístupem: Paměť s náhodným přístupem je taková paměť, ve které lze do míst polovodičové paměti zapisovat nebo z nich číst v libovolném pořadí, bez ohledu na to, do kterého místa paměti bylo naposledy přistupováno.
Obvod pro jednotlivou paměťovou buňku SRAM se obvykle skládá ze čtyř tranzistorů konfigurovaných jako dva křížově vázané invertory. V tomto formátu má obvod dva stabilní stavy a ty odpovídají logickým stavům „0“ a „1“. Kromě čtyř tranzistorů v základní paměťové buňce jsou zapotřebí další dva tranzistory pro řízení přístupu k paměťové buňce během operací čtení a zápisu. Celkem se tedy jedná o šest tranzistorů, čímž vzniká takzvaná paměťová buňka 6T. Někdy se používají další tranzistory, aby vznikla paměťová buňka 8T nebo 10T. Tyto další tranzistory se používají pro funkce, jako je implementace dalších portů v souboru registrů atd. pro paměť SRAM.
Ačkoli lze v paměti SRAM použít jakékoli třípólové spínací zařízení, obvykle se používají tranzistory MOSFET a zejména technologie CMOS, aby se zajistilo dosažení velmi nízké úrovně spotřeby energie. Vzhledem k tomu, že polovodičové paměti dosahují velmi velkých rozměrů, musí každá buňka dosahovat velmi nízké úrovně spotřeby energie, aby se zajistilo, že celkový čip nerozptyluje příliš mnoho energie.
Provoz paměťové buňky SRAM
Provoz paměťové buňky SRAM je poměrně jednoduchý. Když je buňka vybrána, hodnota, která se má zapsat, se uloží do křížově spojených flip-flopů. Buňky jsou uspořádány do matice, přičemž každá buňka je samostatně adresovatelná. Většina pamětí SRAM vybírá celou řadu buněk najednou a čte obsah všech buněk v řadě podél sloupcových linek.
Ačkoli není nutné mít dvě bitové linky, používá se signál a jeho inverze, je to běžná praxe, která zlepšuje šumové rezervy a zlepšuje integritu dat. Dvě bitové linky jsou přivedeny na dva vstupní porty komparátoru, aby bylo možné využít výhod diferenciálního datového režimu a přesněji detekovat malé výkyvy napětí, které jsou přítomny.
Přístup k paměťové buňce SRAM je umožněn pomocí Word Line. Ta ovládá dva tranzistory pro řízení přístupu, které řídí, zda má být buňka připojena k bitovým linkám. Tyto dvě linky se používají k přenosu dat pro operace čtení i zápisu.
Použití pamětí SRAM
V dnešní době je k dispozici mnoho různých typů polovodičových pamětí. Je třeba se rozhodnout pro správný typ paměti pro danou aplikaci. Pravděpodobně dva nejpoužívanější typy jsou paměti DRAM a SRAM, které se používají v procesorech a počítačích. Z těchto dvou pamětí je SRAM o něco dražší než DRAM. Paměť SRAM je však rychlejší a spotřebovává méně energie, zejména při nečinnosti. Kromě toho je paměť SRAM snadněji ovladatelná než DRAM, protože není třeba brát v úvahu obnovovací cykly, a navíc způsob přístupu k paměti SRAM je přesněji náhodný přístup. Další výhodou paměti SRAM je, že je hustší než paměť DRAM.
V důsledku těchto parametrů se paměť SRAM používá tam, kde záleží na rychlosti nebo nízké spotřebě. Její vyšší hustota a méně komplikovaná struktura ji také předurčují k použití ve scénářích polovodičových pamětí, kde se používá paměť s vysokou kapacitou, jako v případě pracovní paměti v počítačích.
Další elektronické součástky:
Rezistory Kondenzátory Induktory Křemenné krystaly Diody Tranzistor Fototranzistor FET Typy pamětí Tyristor Konektory VF konektory Ventily / elektronky Baterie Spínače Relé
Zpět na nabídku součástek . . .
