Edellytys – RAM-muistin eri tyypit
1. Staattinen satunnaiskäyttömuisti (Static Random Access Memory, SRAM) :
Tiedot tallennetaan transistoreihin ja ne vaativat jatkuvaa virrankulutusta. Jatkuvan virran vuoksi SRAM-muistia ei tarvitse päivittää, jotta se muistaisi tallennetut tiedot. SRAM-muistia kutsutaan staattiseksi, koska mitään muutosta tai toimintaa eli virkistystä ei tarvita tietojen säilyttämiseksi. Sitä käytetään välimuisteissa.
Etu: Alhainen virrankulutus ja nopeammat käyttönopeudet.
Haitat: Pienempi muistikapasiteetti ja korkeat valmistuskustannukset.
2. Dynaaminen satunnaiskäyttömuisti (DRAM) :
Data tallennetaan kondensaattoreihin. Kondensaattorit, jotka tallentavat dataa DRAM-muistiin, purkavat energiaa vähitellen, energian puuttuminen tarkoittaa, että data on kadonnut. Toiminta edellyttää siis ajoittaista virransyöttöä. DRAM-muistia kutsutaan dynaamiseksi, koska tietojen säilyttämiseksi tarvitaan jatkuvaa muutosta tai toimintaa eli päivitystä. Sitä käytetään keskusmuistin toteuttamiseen.
Etu: Alhaiset valmistuskustannukset ja suurempi muistikapasiteetti.
Haitat: Hidas hakunopeus ja suuri virrankulutus.
Ero SRAMin ja DRAMin välillä :
| Sr.nro. | SRAM | DRAM | ||
|---|---|---|---|---|
| Transistoreilla tallennetaan informaatiota SRAM:iin. | Kondensaattoreilla tallennetaan tietoa DRAM:iin. | |||
| Kondensaattoreita ei käytetä, joten virkistystä ei tarvita. | Tiedon tallentamiseksi pidemmäksi aikaa kondensaattorin sisältö on virkistettävä säännöllisesti. | |||
| SRAM on nopeampi verrattuna DRAM:iin. | DRAM tarjoaa hitaat hakunopeudet. | |||
| Nämä ovat kalliita. | Nämä ovat halvempia. | |||
| SRAM-muistit ovat pienitiheyksisiä laitteita. | DRAM-muistit ovat suuritiheyksisiä laitteita. | |||
| Näitä käytetään välimuisteissa. | Näitä käytetään pääsääntöisesti keskusmuisteissa. |
